01GB/T5170.8-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法－－鹽霧試驗(yàn)設(shè)備02GB/T4797.6-1995電工電子產(chǎn)品自然環(huán)境條件－－塵、沙、鹽霧03GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Kb：鹽霧，交變（氯化鈉溶液）04GB/T12967.3-1991鋁及鋁合金陽(yáng)極氧化－－氯化銅加速醋酸鹽霧試驗(yàn)（CASS試驗(yàn)）......

GB/T 5170.8-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法－－鹽霧試驗(yàn)設(shè)備

     02 GB/T 4797.6-1995電工電子產(chǎn)品自然環(huán)境條件－－塵、沙、鹽霧

     03 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Kb：鹽霧，交變（氯化鈉溶液）

     04 GB/T 12967.3-1991鋁及鋁合金陽(yáng)極氧化－－氧化膜的銅加速醋酸鹽霧試驗(yàn)（CASS試驗(yàn)）

     05 GB/T 10125-1997 人造氣氛腐蝕試驗(yàn)－－鹽霧試驗(yàn)

     06 GB 8993.12-1988 核儀器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法鹽霧試驗(yàn)

     07 GB 6460-1986金屬覆蓋層－－銅加速乙酸鹽霧試驗(yàn)（CASS試驗(yàn)）

     08 GB 6459-1986 金屬覆蓋層－－乙酸鹽霧試驗(yàn)（ASS試驗(yàn)）

     09 GB 6458-1986 金屬覆蓋層－－中性鹽霧試驗(yàn)（NSS試驗(yàn)）

     10 GB 5940-1986輕工產(chǎn)品金屬鍍層和化學(xué)處理層的耐腐蝕試驗(yàn)方法－－銅鹽加速乙酸鹽霧試驗(yàn)（CASS）法

     11 GB 5939-1986輕工產(chǎn)品金屬鍍層和化學(xué)處理層的耐腐蝕試驗(yàn)方法－－乙酸鹽霧試驗(yàn)（ASS）法

     12 GB 5938-1986輕工產(chǎn)品金屬鍍層和化學(xué)處理層的耐腐蝕試驗(yàn)方法－－中性鹽霧試驗(yàn)（NSS）法

     13 GB 5589.5-1985 電纜附件試驗(yàn)方法－－第5部分：鹽霧試驗(yàn)

     14 GB 5170.8-1985電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法－－鹽霧試驗(yàn)設(shè)備

     15 GB 4585.1-1984交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法鹽霧法

    16 GB 2423.17-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka：鹽霧試驗(yàn)方法

    17 GB 1771-1979 漆膜耐鹽霧測(cè)定法

    18 GB 1765-1979 測(cè)定耐濕熱、耐鹽霧、耐候性（人工加速）的漆膜制備法

    19 GB 12085.4-1989 光學(xué)和光學(xué)儀器－－環(huán)境試驗(yàn)方法－－鹽霧

    20 GB 11606.13-1989 分析儀器環(huán)境試驗(yàn)方法－－鹽霧試驗(yàn)

    21 GB 10593.2-1990 電工電子產(chǎn)品環(huán)境參數(shù)測(cè)量方法－－鹽霧

    22 GB 10587-1989 鹽霧試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    23 GB 10263.7-1988 輻射探測(cè)器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法－－鹽霧試驗(yàn)

    24 GB 10125-1988 人造氣氛中的腐蝕試驗(yàn)鹽霧試驗(yàn)（SS試驗(yàn)）

    25 GB/T 18912-2002 光伏組件鹽霧腐蝕試驗(yàn)

    26 GB/T 12000-2003 塑料暴露于濕熱、水噴霧和鹽霧中影響的測(cè)定

    27 GB/T 18310.26-2003 纖維光學(xué)互連器件和無(wú)源器件-基本試驗(yàn)和測(cè)量程序第2-26部分：試驗(yàn)-鹽霧

    28 GB/T 18912-2002 光伏組件鹽霧腐蝕試驗(yàn)